Samsung Galaxy S10 con memoria RAM LPDDR5 e UFS 3.0

Samsung Galaxy S10 con memoria RAM LPDDR5 e UFS 3.0

Con Samsung Galaxy S10 non si scherza assolutamente. Il top gamma della casa sudcoreana avrà memorie RAM di nuova generazione, memorie ROM ultra veloci ed un display molto più grande grazie ad alcuni accorgimenti mirati già mostrati di recente. D’altronde non ci si potrebbe aspettare altrimenti al decimo anniversario della nascita della serie.

Un dispositivo che sicuramente rispetto Note 9 subirà tantissime modifiche. Il lettore di impronte digitali a schermo sul nuovo top gamma non sarà inserito. Pare che ci siamo stati dei problemi tecnici, il nostro parere invece è che Samsung abbia volutamente messo in pausa il tutto per aspettare l’arrivo del flagship 2019.

Samsung Galaxy S10 sarà tutto nuovo

Il passaggio dalle memorie di tipo LPDDR3 alle LPDDR4 ha quasi raddoppiato la velocità della RAM mobile, con la prossima generazione LPDDR5 non ci sarà un salto così evidente, le frequenze operative di lavoro potrebbero però essere più elevate.

Per quanto riguarda invece la memoria interna Samsung ha già commercializzato lo standard UFS 3.0 a febbraio avviando la produzione di flusso di chip di memoria da 256 GB, ma non ha ancora adottato la nuova tecnologia sui sui dispositivi mobile.

Anche in questo caso tutto sarebbe stato messo in pausa in attesa di presentare Samsung Galaxy S10. Memorie RAM di tipo LPDDR5, memoria ROM di tipo UFS 3.0 e schermo più grande dotato di lettore di impronte digitali a schermo. Cosa volete di più?

Fonte | Ice Universe